ゲルマニウムウェーハ
Geの単体はケイ素より狭いバンドギャップ（約0.7 eV）を持つ半導体で、結晶構造は、温度、圧力により、3種類あり、常温、常圧で安定な結晶構造はダイヤモンド構造で、（α-ゲルマニウム）高圧にすると正方晶系のβ-ゲルマニウムになる。
- 応用と分野
- Geウェーハは重要な半導体基板材料です。これらの高品質な基板は、主にCPV、宇宙空間の太陽電池パネル、および高輝度発光ダイオードアプリケーションで使用されています。
| 項目 | 単位 | 仕様 | |
|---|---|---|---|
| 結晶成長方法 | CZ/VGF | ||
| タイプ | N型 | P型 | |
| ドーパント | As、Sb | Ga | |
| 直径 | inch | 2～6 | |
| 面方位 | (100) ± 0.5° | ||
| オリフラ方位 | US、EJ | ||
| 厚さ | μm | (175～500) ± 25 | |
| 抵抗率 | Ω·cm | 0.005～30 | 0.005～0.04 |
| 転位密度（EPD） | cm2 | - | 0 |
| TTV | μm | ≤15 | ≤15 |
| Warp | μm | ≤25 | ≤25 |
| 裏面の粗さ（Ra） | μm | <0.1 | <0.1 |
| 面仕上げ | 主面/裏面 | ミラー/エッチング、エッチング/エッチング | |
| 梱包方法 | コインロール/カセットケース | ||